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研究開発報告書類（JAEA-Research等）学会誌等掲載論文口頭発表特許

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論文

Dielectric response of laser-excited silicon at finite electron temperature

佐藤駿丞*; 篠原康*; 乙部智仁; 矢花一浩*

Physical Review B, 90(17), p.174303_1 - 174303_8, 2014/11

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.174303

被引用回数：40 パーセンタイル：81.69(Materials Science, Multidisciplinary)

レーザー励起されたシリコン中電子が熱平衡に達したときの誘電応答を時間依存密度汎関数法の基礎方程式である時間依存Kohn-Sham方程式を実時間計算法で解くことにより計算した。その結果から、電子の有効質量と電子とイオンの衝突時間の温度依存性を明らかとした。